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旺宏搶3D NAND商機

威騰、鎧俠的兩座生產3D儲存型快閃記憶體（3D NAND Flash）廠房發生部分物料汙染事件，震驚市場。

業界指出，3D NAND晶片具有最高密度及最低製造成本優勢，市場需求爆發，台廠目前以旺宏（2337）在3D NAND領域跑最快，已有多款自研晶片量產，大咬3D NAND商機。

旺宏董事長吳敏求指出，記憶體需求將持續擴大，市場成長性強，預期3D NAND晶片將取代DRAM，成為市場主流，同時，技術創新也會持續擴大旺宏另一項主力產品編碼型快閃記憶體（NOR Flash）的應用。
旺宏看好3D NAND晶片後市，積極投入自主晶片研發，去年第4季開始小量生產48層3D NAND晶片，主要供應日系大客戶，以32／64Gb規格進入市場，月產能從5,000片逐步拉升，目前良率表現佳，96層產品預計今年底小量生產，192層預計最快2023年問世。

另外，由於3D NAND研發有不錯的成果，旺宏去年7月的董事會也通過，預計投入415億元擴產Fab 5B，生產3D NAND產品，快則二至三年完成支出，就層數來看，產能可較5A擴增一倍，但技術跳了兩個世代，新產能預計 2023年貢獻營收。

業界指出，3D NAND晶片，顧名思義，就是以立體堆疊方式組成。

如果將普通NAND晶片比喻成平房，那麼3D NAND就是高樓大廈，同樣的面積，容量卻可以變大很多，理論上可以無限堆疊，這使得3D NAND晶片的單位面積存儲容量可比2D NAND晶片很多，更具備優勢。